プローブ
PROBE
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半導体業界においてはウェハーの電極にコンタクトさせる前工程ではカンチレバー方式（先端を少し曲げたタングステン針をチップの外周から飛び込ませるよう基板に配した物）、パッケージ化された後に両端プローブを入れたICソケットなどを使う後工程と住み分けがなされていました。
昨今ではチップの実装技術の発展により直接チップ上にバンプやカッパーピラーなどを設けたデバイスも増えてきました。
このようなデバイスはバンプの配置も格子状のため周囲から針が飛び込んでくるカンチレバー方式では物理的に針を配置出来ないケースも多々あります。さらにこのようなカンチレバー方式が不得意とする格子状に配列されたデバイスを多数個まとめてコンタクトして検査効率を上げる要求もあります。これらに対応出来るコンタクトプローブなどを使った垂直型プローブカードに対する期待が高まってきました。
前工程では当然後工程より挟ピッチ化、安定した電気的性能が求められます。
精研ではP=150um対応のプローブ、それを用いた垂直型プローブカードをラインナップしております。
先端はハンダへの接触性で定評ある合金でクラウンカットにも対応しているためバンプに対しても安定したコンタクトが出来ます。特殊形状のバネを用いて一定の荷重を確保していることにより同じピッチの一般的なバネを使ったプローブよりバンプへの接触性が良好です。
プローブ全長も極力抑えて抵抗値やインダクタンスの低減にも努めております。
そしてさらなる挟ピッチ化を目指すためにプロセスなどを見直したP=80um対応プローブも近々ラインナップに加わる予定です。
